铠侠被曝 7 月内正式启动1Tb版218层BiCS8闪存大规模生产

7月4日消息，据《日经新闻》报道，日本铠侠公司计划于本月内在位于三重县四日市的工厂启动1Tb版BiCS8 3D NAND闪存的量产工作。这一里程碑式的进展意味着存储技术又向前迈进了一大步。

BiCS8闪存技术是由铠侠与西部数据共同研发的，自2023年3月发布以来就备受行业关注。其最大的亮点在于高达218层的堆叠层数，以及创新的CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术。通过这项技术，外围电路直接键合到存储阵列上，不仅提升了位密度，还显著提高了NAND I/O速度。

据ITBEAR科技资讯了解，铠侠与西部数据的合作不仅限于技术研发。双方在产品规划上也展现出深厚的合作基础。除了已经发布的1Tb TLC和1Tb QLC产品外，铠侠近日还宣布了面向高存储密度设备的2Tb QLC版BiCS8闪存已经出样。这一系列产品的推出，无疑将满足市场对于大容量、高性能存储解决方案的迫切需求。

为了进一步扩大闪存生产规模，铠侠和西部数据已经决定共同投资7290亿日元(约合328.71亿元人民币)，用于扩建在三重县四日市和岩手县北上市联合运营的晶圆厂。这笔巨额投资将主要用于生产BiCS 8/9两代闪存，以应对未来市场对于高性能闪存的不断增长的需求。

日本政府也对此次投资给予了大力支持，承诺提供投资额1/3的补贴。这一政策扶持无疑为铠侠和西部数据的扩产计划注入了强大的动力。据预计，新建设的产能将于2025年9月开始出货，届时将为全球存储市场带来新的活力。